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新型涂层测厚仪JJC810F

新型涂层测厚仪JJC810F

简要描述:新型涂层测厚仪JJC810F本仪器是磁性便携式覆层测厚仪,采用磁感应测试方法,能快速、无损伤、精密地测试磁性底材上的非磁性涂、镀层厚度。既可用于实验室

产品型号: JJC810F

所属分类:科研实验

更新时间:2023-11-06

厂商性质:其他

详情介绍
品牌其他品牌产地国产

新型涂层测厚仪JJC810F

广泛使用范围的磁性仪器。其技术参数*符合标准。 
本仪器是磁性便携式覆层测厚仪,采用磁感应测试方法,能快速、无损伤、精密地测试磁性底材上的非磁性涂、镀层厚度。既可用于实验室,也可用于工程现场。本仪器能广泛地应用在制造业、金属加工业、化工业、商检等检测领域。是材料保护专业*的仪器。 
Fe质探针可检测所有非磁性涂层厚度,例如涂在钢、铁上的漆、粉末涂层、塑料、瓷、铬、铜、锌v
●采用了磁性测厚方法,可测量磁性金属基体上非磁性覆盖层的厚度; 
●可采用单点校准和两点校准两种方法对仪器进行校准; 
●可采用基本校准修正法对测头系统误差进行更新修正,保证仪器在测量过程中的准确性; 
●负数显示功能,保证仪器零位点校准的准确性,提高测试精度; 
●操作过程有蜂鸣声提示; 
●两种关机方式:手动关机方式和自动关机方式; 
●电池电压指示:低电压提示; 
●微功耗设计,在待机装态不到10微安的电流; 
●测量方法:F 磁感应。 
                               
                                         
技术参数: 
测量范围:0~1250um (其他量程可订制)  
分辨率:0.1/1 
zui小曲面: 凸 5mm/ 凹 5mm 
zui小测量面积:10×10mm 
zui薄基底:0.4mm 
使用环境:温度:0-40℃ 湿度:10-85%RH 
测量准精度误差:零点校准 ±(1+3%H);二点校准±【(1%~3%H)】H+1.5 
公制/英制:可转换 机身尺寸:102mm x 66mm x24mm 
电源:2节5号电池 
重量:99g(含电池) 

产品名称:温度变送器RS485
产品型号:RS485

温度变送器型号:TD-RS485   
一、产品特点:智能信号处理技术,精度高、稳定性好,抗干扰性能强。   
本安防爆设计,采用三级防雷电设计,抗雷击效果好   
适合多点温度参数组网采集,总线支持255台设备   
现场组网,现场显示(四位半液晶显示)   
可同时具备:4-20mA输出(可迁移)和RS485通讯功能,输出电流分辨率优于3uA   
二、产品参数:电源电压:10~36VDC 二线制4-20mA输出   
通讯方式:RS485 Modbus 通讯协议   
显示方式:动态四位液晶数字显示(四位半),加汉字提示。   
可显示的单位:°C   
温度范围:-20℃~+85℃ 湿度:﹤90%   
精度等级:0.1级   
负载能力:RL=(U-10V)÷0.02A(Ω ); U- 环路供电电压 RL-负载电阻 

   

 新型涂层测厚仪JJC810F

 

 

产品名称:半导体分立器件测试仪
产品型号:CS2935

半导体分立器件测试仪型号:CS2935
 
一、产品特点: 
测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和*性、工作稳定可靠,具有保护系统和被测器件的能力。测试仪由计算机操控,测试数据可存储打印。除具有点测试功能外,还具有曲线扫描功能(图示仪功能)。系统软件功能全、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定可靠、硬件故障率低,在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及国标要求。 
二、测试参数 
1. 二管       
VF、IR、BVR 
2.  稳压(齐纳)二管    
VF、IR、BV Z 
3.  晶体管       Transistor(NPN型/PNP型) 
      VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON 
4.   可控硅整流器(晶闸管)    
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM  
5.  场效应管    
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS 


6.  光电耦合器        
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT 
*7.三端稳压器 
VO、SV、ID、IDV

三、测试参数范围

晶体管

 

测试参数

测试范围

ICEO

ICBO

IEBO

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

VBE(sat)

0.10V-30V

VBE(VBE(on))

0.10V-30V

hFE

1-99999

V(BR)EBO

0.10V-30V

V(BR)CEO

V(BR)CBO

0.       10V-50V

50V-1499V

 

二管

 

 

测试参数

测试范围

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

V(BR)

1V-50V

 

50V-1499V

 

稳压二管

 

 

测试参数

测试范围

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VF

0.10V-30V

VZ

0.10V-50V

 

三端稳压器

 

 

测试参数

测试范围

VO

0.10V-30V

SV

0.10mV-1V

ID

1uA-10mA

IDV

1uA-10mA

 

MOSFET

 

 

测试参数

测试范围

VGS(th)

0.10V-30V

gfs

0.1mS-1000S

RDS(on)

10mΩ-100KΩ

VDS(on)

0.10V-50V

IGSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

IDSS

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

ID(on)

0-50A

V(BR)GSS

0.1V-30V

V(BR)DSS

0.1V-1499V

 

光耦

 

 

测试参数

测试范围

VF

0.10V-30V

IR

1nA-100nA

100nA-1uA

1uA-100uA

100uA-10mA

VCE(sat)

0.10V-50V

CTR

0.1%-1000%

ICEO

与IR参数相同

V(BR)ECO V(BR)CEO

0.10V-50V

50V-1499V

 

可控硅

 

 

测试参数

测试范围

IGT

10uA-200mA

VGT

0.10V-30V

IH

10uA-1A

IL

10uA-1A

VTM

0.10V-50V

 

四、技术指标

1、源的指标

主压流源 (VA)

      电压:

 

 

设定范围(V)

精确度

±(0~10)

±(14.6mV+0.5%set)

±(10~50)

±(73.2mV+0.5%set)

 

电流:

 

 

测量范围

精确度

±(0-50)uA

±(244nA+0.5% set)

±(50-500) uA

±(2.44uA+0.5% set)

±(0.5-5) mA

±(24.4uA+0.5% set)

±(5-50) mA

±(244uA+0.5% set)

±(50~500) mA

±(2.44mA+0.5%set)

±(0.5~5)A(脉冲)

±(24.4mA+0.5%set)

±(5-50)A(脉冲)

±(244mA+0.5%set)

 

压流源 (VB)

      电压:

 

 

设定范围(V)

精确度

±(0~10)

±(14.6mV+0.5%set)

±(10~30)

±(43.8mV+0.5%set)

 

电流:

 

 

测量范围

精确度

±(0-50)uA

±(244nA+0.5% set)

±(50-500) uA

±(2.44uA+0.5% set)

±(0.5-5) mA

±(24.4uA+0.5% set)

±(5-50) mA

±(244uA+0.5% set)

±(50~500) mA

±(2.44mA+0.5%set)

±(0.5~5)A(脉冲)

±(24.4mA+0.5%set)

±(5-50)A(脉冲)

±(244mA+0.5%set)

 

源(HV)

 

 

设定范围(V)

精确度

0~1500

±(1.22V+1%set)

 

*1500V时大输出为5mA。

2、电压表的指标

测漏电流

 

 

测量范围

精确度

±(0~200)nA

±(2.44nA+0.5% Rdg)

±(0.2-2)uA

±(24.4nA+0.5% Rdg)

±(2-20)uA

±(244nA+0.5% Rdg)

±(20~200) uA

±(2.44uA+0.5% Rdg)

±(0.2~2)mA

±(24.4uA+0.5% Rdg)

±(2-20)mA

±(244uA+0.5% Rdg)

 

测试电压

 

 

设定范围(V)

精确度

±(0~10)

±(3mV+0.5% Rdg)

±(10~50)

±(15mV+0.5% Rdg)

 

测击穿电压

 

 

设定范围(V)

精确度

(0~50)V/10mA

±(36.6mV+0.25% Rdg)

(50~1500)V/1mA

±(610.3mV+1% Rdg)

 

放大倍数

 

 

设定范围(V)

精确度

1~9999

1%

 

 

 

 

 

 

产品名称:沥青化学组分试验器
产品型号:SYD-0618A 

沥青化学组分试验器型号:SYD-0618A

SYD-0618A 沥青化学组分试验器是根据中华人民共和国行业标准JTG E20-2011《公路工程沥青及沥青混合料试验规程》中T 0618-1993《沥青化学组分试验(四组分法)》设计制造的,本仪器采用溶剂沉淀及色谱柱法进行道路石油沥青的四组分成分分析。 

一、SYD-0618A 沥青化学组分试验器仪器组成 
   本仪器由沥青质抽提器(包括球形冷凝器及100ml抽提器组装面成)和玻璃吸附柱组成,其结构及技术参数*符合T 0618-1993标准要求。配备的落地夹持装置,方便的组成试验机构,使用户使用十分方便。 

二、SYD-0618A 沥青化学组分试验器仪器成套 
1、冷凝器:                     1只; 
2、吸附柱:                     1个; 
3、抽提器:                     1只; 
4、锥型烧杯(250ml):           2只; 
5、底板                         1块; 
6、立柱                         2根; 
7、夹子                         2套; 
8、仪器箱(硬塑金属铝镶边):    1只。 
注:底座尺寸:345㎜×210㎜, 立柱总高:1120㎜ 

三、选配件 
1、真空干燥箱:                 真空度267Pa(2㎜Hg); 
2、高温炉:                     0℃~1000℃,有自动温度控制器; 
3、恒温浴:                     HWY-501循环恒温水浴(); 
4、天平 :                      称重500g,感量不大于1g、1mg、0.1mg各1台。

 

 

产品名称:声波提取机 声波搅拌提取器
产品型号: YH-10B

声波提取机 声波搅拌提取器型号:YH-10B

简单介绍 
1、提取效率高 YH-10B声波提取机的性能特点 采用机械搅拌和声循环强化提取,提取时间短(常规方法的几分之一到几十分之一),工作效率高。 
2、目标提取物提取率高 由于采用声波破碎强化提取技术,使原料中的有效成份得以充分释出,从而使目标提取物的提取率提高。以从青蒿中提取为例,可以提高25%以上。 
3、能耗低 小功能声波即可破碎提取大量物料,一般均在室温下提取,无须大功率搅拌和耗费大量加热能源。单位物料处理量能耗较常规提取方法降低50%以上。 YH-10B声波提取机主要用在实验室中草药提取。 
产品描述 
YH-10B声波提取机的技术参数 
1、声波功率:1200 W (调功旋钮调节声波功率大小) 
2、提取槽有效容积:10L 
3、时间范围:1-99H99M99S(数显,任意设定) 
4、温度范围:常温-80度(数显,任意设定) 
5、加热管功率:600W 
6、声频率:双频,20/28KHz 
7、过滤系统水泵功率:90W,电源220V 
8、搅拌电机功率:200W,电源220V,转速可调(0-2800r/min)。 
9、总工作电源:AC 220 V.50Hz(本设备必须有接地线,供电电源务必加漏电保护开关),总用电功率:2500W



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